三星担忧半导体技术落后将在日本设立半导体研发基地

　　韩国三星电子于12月21日宣布，将在日本横滨市设立半导体技术研发基地。三星将与日本企业、大学和研究机构共同开发尖端半导体制造技术。鉴于尖端产品竞争中落后的危机感日益加深，三星将加快研发步伐。

　　三星计划于2024年在横滨市的港未来区建立“先进封装实验室(Advanced Package Lab)”，并在未来5年投入超过400亿日元，日本经济产业省将补贴最多200亿日元。据悉，该基地将雇佣100名以上的研发人员。

　　新基地将负责研发半导体芯片成型、封装为电子零部件的“后工序”制造技术。三星将深化与在后工序材料和设备领域具有优势的日本企业的合作。在主原料硅晶圆上绘制微细电路的“前工序”技术创新难度增加的情况下，三星力争通过改进后工序来提高半导体性能。

　　尽管从销售额上看，三星是世界大厂，但其在尖端技术方面已开始落后。在曾经最赚钱的主要产品DRAM领域，三星受到韩国SK海力士的猛烈追赶。

　　根据调查公司集邦咨询的数据，2023年7～9月的DRAM市场份额中，排名第一的三星为38.9%,第二位的SK为34.3%。与去年同期相比，两家公司的市场份额差距缩小了7.3个百分点。也有人担忧三星可能失去其维持了30年的DRAM首位宝座。

　　借助人工智能技术的普及浪潮，SK在新一代DRAM方面领先，即可以进行高速大容量处理的“HBM(高宽带内存)”。HBM采取将DRAM芯片堆叠起来的结构，对后工序的组装技术和材料的散热性能等有要求。

　　此外，在半导体代工业务上，三星与台积电(TSMC)的差距也在加大。在最尖端半导体领域，左右今后竞争力的后工序技术也变得更加重要，三星正在急于提高良品率。

　　三星正在寻求与有交易关系的，在后工序上有优势的日本公司揖斐电和爱德万，以及在材料技术上有优势的日本新兴企业和研究机构等的合作。在日韩关系改善的推动下，三星也正在计划与材料大厂开展共同研究项目。