得益于人工智能热潮的持续推动，高带宽内存(HBM)近年发展迅猛，迭代加速，已成为最炙手可热的DRAM技术之一。此前，SK海力士就因向英伟达大量供应HBM3与HBM3E，一度在DRAM市场领先三星。
近期有消息称，三星正在开发一种独特的封装方案，旨在让智能手机、平板电脑等移动设备也能搭载HBM芯片，从而打造高性能的AI终端产品。
传统移动DRAM多采用铜线键合技术，其I/O引脚数量通常限于128至256个，虽有利于能效提升与发热控制，但也带来了较高的信号损耗。为此，三星计划引入超高长宽比铜柱，并结合扇出型晶圆级封装(FOWLP)，以增强耐热性并提升持续工作负载下的性能表现。
通过三星在垂直铜柱堆栈(VCS)方面的创新，DRAM芯片能够以“阶梯”形式堆叠，从而帮助HBM在移动设备的有限空间内突破尺寸限制、发挥性能潜力。据了解，三星已将垂直铜柱的长宽比从现有的3-5:1大幅提升至15:1–20:1，但这也导致铜柱直径相应减小。若直径低于10微米，铜柱可能出现弯曲甚至断裂的问题，此时扇出型晶圆级封装技术便可发挥作用——其通过向外延伸铜线来强化结构完整性，同时还能增加I/O引脚数量，实现约30%的带宽提升。
目前三星尚未公布这项技术的具体应用时间。从产品路线推测，它可能会被集成到未来的Exynos 2800或Exynos 2900处理器中。另有传闻称苹果也在考虑为iPhone引入HBM，但是否采用三星的该项技术尚未确定。考虑到当前DRAM市场的价格波动，此类方案的可行性或许要待行情稳定后才能进一步讨论。
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