‌DRAM产能趋紧，2027年HBM价格预计大幅上扬‌

　　TrendForce集邦咨询最新研究报告指出，自2025年下半年起，常规DRAM市场供不应求已推高价格。而由于三大存储原厂签订的HBM(高带宽内存)年度议价机制不具备实时调整性，其合约价无法即时反映DRAM整体季度涨价趋势。

　　随着2026年二季度买卖双方开始就2027年主流产品HBM4进行供应谈判，基于当前DRAM市场供应持续趋紧，以及新旧世代HBM在制程良率和高投入成本的压力下，TrendForce预测三大原厂极可能在2027年大幅上调HBM报价。

　　具体到单片晶圆产值的数据，HBM已在2026年第一季度被DDR5 64GB RDIMM所超越，这间接拉低了当前HBM的单位利润水平。这预示着原厂或将结合HBM的价格谈判表现，动态调节HBM与常规DRAM之间的产能配比，在维持HBM为AI生态提供足够动能的同时，亦全面驱动RDIMM、Server LPDDR甚至边缘设备所需常规DRAM需求的同步增长。

　　从终端需求侧看，HBM未来两年需求依然保持强劲，但动能来源有所差异：

　　2026年主要需求来源于AI ASIC芯片容量升级所驱动，芯片搭载的HBM配置将从现有的96GB或192GB大幅扩容至216GB或288GB规格;

　　2027年则转为由NVIDIA Rubin平台及各大AI ASIC新品共同带动。其中单颗GPU的HBM总量虽未提升，但NVIDIA出货量的稳步增长与Rubin Ultra平台高达384GB的HBM容量配置进一步加剧需求;同期，Google TPU等ASIC类产品由于自身颗数增长亦进一步拉升总体市场。

　　按TrendForce预估，三大原厂2025至2027年HBM投片量占整体DRAM投片量的比重约为18%、22%与30%(基于年终产能测算)，其位元供给分别约占整体DRAM的8%、9%及约13%。

　　2027年，随着HBM产品代际演进带来晶粒尺寸的再次增大与需求同步上扬，对于常规型DRAM产能的排挤效应将进一步强化，这便为原厂提供了充足的理由支撑上调HBM价格，并有望在2027年的年度议价阶段获得定价主导地位。