海力士CEO预警27年将是存储史上最严峻的一年

　　近日，SK海力士CEO郭鲁正发出预警，称2027年将成为存储行业历史上供应形势最为严峻的一年，当前由内存涨价引发的市场震荡或许才刚刚开始。

　　据《Business Times》报道，2027至2028年间，存储相关晶圆产能预计年均增长约12%，但其中近半数将被高带宽内存(HBM)挤占。数据显示，三星2026年HBM出货量预计为120亿Gb，2027年将激增至200亿Gb;SK海力士2026年预计出货180亿Gb，2027年则将达240亿Gb。HBM对晶圆资源的“吞噬效应”，正持续压缩常规DRAM的产能空间。

　　供需剪刀差由此形成：2027至2028年，非HBM DRAM的位元增长率预计被限制在年化15%，而同期市场需求增速却高达22%，供应缺口将达7个百分点。

　　产能释放节奏同样不容乐观。三星P5 Fab 1虽计划于2027年7月投产，但P5 Fab 2及龙仁另一座工厂直至2029年方能量产。SK海力士龙仁Y1工厂预计2027年2月投产，Y2工厂则要等到2028年下半年。这意味着短期内新增产能难以有效填补供应缺口。

　　作为潜在变量，长鑫存储向DDR6的转型计划或带来一定缓解，但目前其量产时间表尚不明朗，且产品是否面向中国以外市场供货仍未确定。

　　值得注意的是，威刚董事长陈立白日前也驳斥了AI泡沫论，强调未来十年“最缺电力和内存”。他认为三大原厂扩产策略理性，不会出现无序扩张，并预判内存价格在下半年仍将维持上涨态势。