2026年，三星晶圆代工业务迎来积极信号，其2nm制程节点的研发与客户接洽均进展顺利。最新动态显示，三星2nm GAA工艺良品率已攀升至60%，正稳步迈向70%的目标值。
根据行业分析，三星正加码对前沿半导体技术的投资，目标在2030年前完成1nm制程节点的研发，并于同年实现量产，以确立其在下一代先进制程代工市场的领导地位。与此同时，公司还计划深化2nm节点的布局，拓展不同细分工艺组合，以进一步吸引核心客户。
在1nm节点上，三星预计将采用全新的“Forksheet”叉片晶体管架构。这实际上是对其从3nm节点引入的GAA(全环绕栅极)晶体管技术的进一步升级。GAA结构将电流通道从原有的三个面扩展至四个面，优化了功耗效率;而Forksheet技术则在此之上，通过引入绝缘墙来缩小晶体管间距，能更有效地利用芯片空间，从而在相同面积内集成更多晶体管。
此前，三星已在SAFE 2025活动上展示了其第三代2nm工艺“SF2P+”。此外，专为特斯拉AI6芯片开发的定制工艺“SF2T”也在推进中。三星计划于今年开始部署其第三代2nm基础工艺(SF2P)，并在明年上线增强版本(SF2P+)。
浙公网安备 33010502007447号