‌三大存储巨头因产能分配在美遭集体诉讼

　　据公开司法文件显示，三星、SK海力士和美光三家全球DRAM(动态随机存取存储器)制造龙头，于6月25日在美国加利福尼亚联邦法院被提起集体诉讼。起诉方指控这三家公司涉嫌合谋操纵内存市场价格，共同制造了被称为“内存末日”的供应紧张局面。

　　本次诉讼的原告为消费者代表约翰·特里诺，其代表近年购买过含有传统DRAM(如DDR3、DDR4)产品的个人与企业提起诉讼。诉状的核心指控指出，三大巨头利用其合计占全球DRAM市场近95%的绝对主导地位，以“向HBM(高带宽内存)战略转型”为公开理由，协同削减了面向消费市场的传统内存芯片产量，从而人为制造了供应短缺。

　　诉状中的技术逻辑直指HBM对传统产能的“挤压效应”。相较于标准DDR芯片，一颗HBM3E DRAM芯片在物理上所占用的晶圆面积约为前者的两倍。这意味着，每生产一颗HBM芯片，就需要牺牲两倍于传统产品的晶圆产能。

　　市场分析数据支撑了这一观点：2026年，预计HBM将消耗全球约25%的DRAM总晶圆产能，且其年需求增长率高达70%。尽管同期全球DRAM总产能预计将提升14%，但分配给DDR等传统产品的产能增幅仅为10%。这一显著的“剪刀差”被原告方认定为消费级内存出现供应缺口的直接原因。

　　原告律师团队主张，三家公司本可以同步扩大传统DRAM的产能以弥补缺口，却选择将资源集中转向单位利润更高的HBM领域，此举构成了事实上的“协同减产”，涉嫌违反反垄断法。

　　这一被指控的协调行为所带来的市场后果是显著的：过去四年间，主流DRAM产品的合约价格累计上涨了约700%。近期苹果公司全面上调其iPad和Mac产品线的售价，即被诉讼书引为价格压力向终端消费市场传导的典型案例。

　　此外，诉状还重提了三家公司不光彩的历史：早在2005年，三星就曾因操纵DRAM价格向美国司法部认罪，并支付了3亿美元罚款，成为美国反垄断史上第二高的刑事罚单;同年，SK海力士也认罪并被处以1.85亿美元罚款。加上日本尔必达的罚款，该案总罚金高达7.31亿美元，多名企业高管被判入狱。

　　原告方认为，当前的局面是历史的重演，只是操纵手法从过去的“协调产量与报价”，披上了“HBM战略转型”这一新的外衣。

　　展望未来，HBM因其在AI计算等领域的不可替代性，对传统DRAM产能的“吞噬”趋势仍将持续。三大巨头在HBM市场的寡头地位，使其持续拥有主导全球产能分配节奏的能力。这场诉讼能否最终撼动存储市场的现有格局，仍有待司法程序的检验与市场的观察。