‌Intel 14A工艺细节曝光 2028年启动试产‌

　　在2024年2月21日举办的IFS Direct Connect行业活动上，英特尔对外披露了18A节点之后的进阶制程布局，更新了下一代工艺技术路线图，正式官宣新增Intel 14A制程及多个面向垂直领域优化的衍生版本。其中Intel 14A节点将首次落地High-NA EUV极紫外光刻技术，研发进度规划清晰指向2028年进入试产阶段，2029年实现大规模量产。

　　据行业媒体Wccftech的跟踪报道，当前台积电与三星均在全力推进1.4nm级制程的研发落地，为进一步巩固技术竞争优势，英特尔正针对性迭代自身工艺规划，在原有Intel 14A的基础上衍生出改良版本Intel 14A2(即14A第二代架构)。作为该迭代路线的重要基石，此前发布的Intel 18A是英特尔首款同时搭载PowerVia背部供电技术与GAA环绕栅极晶体管架构的制程，两项核心创新直接为芯片带来了显著的PPA综合性能增益。其中PowerVia是全球首个量产落地的背部电能传输网络方案，通过彻底移除晶圆正面的供电布线需求，大幅释放了信号传输的物理空间，从底层解决了先进制程下供电走线挤占信号走线的长期痛点。

　　升级后的Intel 14A将延续背部供电的技术思路，这套新架构被命名为“PowerDirect”，同时配套升级全新一代“RibbonFET 2”环绕栅极晶体管。实测数据显示，该组合在同等功耗水平下可实现15%至20%的性能跃升，维持相同性能输出时则能将功耗降低25%至35%，整体晶体管密度最高可提升30%。

　　到了迭代版本Intel 14A2，英特尔计划将底层金属互联层(M0)的布线间距从初代14A的28nm进一步压缩至21nm，以此继续拉高晶体管集成密度。针对迭代后原有的背部供电专属nTSV结构无法匹配晶体管电流密度需求的问题，英特尔选择保留背部供电作为主力供电网络的同时，复用部分晶圆正面的金属布线，承担辅助供电与时钟信号传输任务，通过创新的双面混合供电设计，有效缓解先进制程下的供电瓶颈。这套方案虽然会显著提升芯片布线设计的复杂度，却能在未来更极致的工艺节点上，实现晶体管密度、供电效率与制造良率三者的最优平衡。