光刻机巨头ASML官方正式对外披露，英特尔已在自研的Intel 18A先进制程工艺中，正式落地采用High-NA EUV极紫外光刻技术，用来生产代号为“Panther Lake”的第三代酷睿Ultra系列部分处理器产品，这也标志着英特尔成为全球首家将High-NA EUV技术投入大规模逻辑芯片量产的半导体企业。目前英特尔坐落于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的Intel 18A专属生产线，已经完成了High-NA EUV体系的双重资质认证，全线产品的良品率表现已经追平此前成熟的NXE EUV生产平台标准。
ASML官方公开表态，过去数十年间双方始终维持紧密的深度联动合作，一同推动光刻技术持续迭代，支撑全球半导体行业的性能拓展进程。High-NA EUV是极紫外光刻技术发展路径中至关重要的升级节点，核心目标是为先进芯片制造环节提供精度大幅提升的图案刻画能力。未来双方还会在High-NA EUV的技术落地适配环节持续深化协作，结合终端客户的多元需求，灵活把这项技术整合到更下一代的先进制程节点当中。
早2023年的年末，ASML就向英特尔交付了全球首台High-NA EUV光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5000。英特尔最初将这台设备用作核心技术试验机，在2024年4月于俄勒冈州希尔斯伯勒的Fab D1X工厂完成整机调试安装。该设备搭载0.55数值孔径镜头，对比此前搭载0.33数值孔径透镜的传统EUV机型，图案刻画精度实现明显跃升，可以实现更高分辨率的光刻效果，支撑制造出特征尺寸更小的晶体管。
到2025年末，英特尔又完成了全新一代TWINSCAN EXE:5200B系统的安装调试，这是目前全球技术水准最顶尖的第二代High-NA EUV光刻机，设备的套刻精度进一步提升至0.7nm，这项技术突破完全建立在英特尔此前一年多对High-NA EUV设备的实操使用与技术打磨积累之上。
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