上个月，消息透露，三星计划在平泽P4工厂搭建1cnm工艺的DRAM生产线，并已开始向Lam Research等合作伙伴采购设备，为HBM4的大规模生产打下基础。1cnm工艺属于第六代10nm级别，电路线宽大约在11-12nm，预计将在今年实现商业化生产，三星计划用它来生产HBM4的DRAM芯片。
三星已完成了HBM4逻辑芯片的研发，并开始了4nm的试生产，这是HBM4的基础裸片。这一进展标志着三星向2025年下半年量产迈出了重要一步。近期，三星加快了HBM4的研发进程，比原计划提前了约半年，以便争取到像英伟达这样的关键客户订单。这些芯片预计将用于下一代Rubin架构GPU，并计划于2026年上市。除了英伟达，三星还关注微软和Meta的新一代定制芯片。
在2024年的ISSCC会议上，三星分享了一些技术细节，表明HBM4将带来显著的性能提升，数据传输速率可达2TB/s，比HBM3E快约66%。同时，它还将支持6.4GT/s的接口运行速度，接口位宽为2048位，最大容量可达48GB，比当前产品提升约33%。三星还与台积电达成合作协议，共同开发HBM4，这也是双方在人工智能芯片领域的首次合作。
除了HBM4的定制化工作，三星还计划将重点转向集成AI计算能力和特定数据处理功能，以满足不断变化的需求。有传闻称，三星可能会转向PIM技术，使内存芯片本身能够执行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。这样的做法可以将处理操作转移到HBM本身，从而减轻内存与通用处理器之间数据传输的负担。
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